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    日前，西安交通大學材料科學與工程學院先進陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導下，用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料，標志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進展。

　　據(jù)了解，此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝，獲得的材料具有優(yōu)異的性能，在軍工、電子、機械等行業(yè)具有良好的應(yīng)用前景，此技術(shù)已申請國家發(fā)明專利。